半导体器件及其制造方法

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Abstract

本发明公开了一种改进的半导体器件及其制造方法,其中没有导致由叠加层间绝缘层引起的铁电电容器特性的退化。该新方法在电容器上形成层间绝缘层,以便具有相对于电容器的拉应力。层间绝缘层可以是低温氧化层,并是PE-TEOS、USG和ECR-OX层中的一种。

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