Improved policide

改进的多晶硅-硅化物

Abstract

一种用于形成一动态随机存取存储器(DRAM)的方法,该DRAM包括一具有多晶硅-硅化物栅的晶体管,此方法包括:在衬底上形成一氧化物层;在氧化物层之上形成一多晶硅层;和在多晶硅层之上沉积一金属硅化物层,该金属硅化物层是用掺杂剂就地掺杂的,以减少多晶硅和金属硅化物层之间的富金属界面;和给氧化物,多晶硅和金属硅化物层构图以形成栅。

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